Indiumphosphid
Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber<ref>Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.</ref> und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.
Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.
Gewinnung und Darstellung
InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.
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Indiumphosphid:
Kristalle -
Indiumphosphid:
polierte Seite oben -
Nanokristall-Oberfläche, Elektronenmikroskop-Aufnahme, die gewachsenen Indiumoxidbereiche sind künstlich eingefärbt.
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Eigenschaften
Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 K (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 eV.<ref>Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)</ref>
Sicherheitshinweise
Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.<ref name="GESTIS"/>
Einzelnachweise
<references />